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IRG8CH106K10F

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零件編號 IRG8CH106K10F
製造商 Infineon Technologies
描述 IGBT 1200V 110A DIE
數據表

IRG8CH106K10F 數據表

封裝 Die
庫存 6,112 piece(s)
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IRG8CH106K10F參數

製造商Infineon Technologies
類別離散半導體產品 - 電晶體 - IGBT - 單
封裝Die
系列-
IGBT類型-
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)1200V
電流 - 收集器(Ic)(最大)-
電流 - 集電極脈衝(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 110A
力量 - 最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門電荷700nC
Td(開/關)@ 25°C80ns/380ns
測試條件600V, 110A, 1 Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包/箱Die
供應商設備包Die

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IRG8CH106K10F Packaging

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零件編號 製造商 描述 庫存 單價 *

IRG8CH106K10F

D# IRG8CH106K10F-ND

Infineon Technologies AG

IGBT 1200V 110A DIE

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黑森爾對質量的承諾,塑造了我們的採購、測試、運輸流程以及它們之間的每一步。這個基準是我們所銷售的每一個元器件的基礎。

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