| 零件編號 | TP65H050G4WS |
|---|---|
| 製造商 | Transphorm |
| 描述 | 650 V 34 A GAN FET |
| 數據表 | |
| 封裝 | - |
| ECAD |
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| 庫存 | 639 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 待確認 |
| 預計送達時間 | 十一月 23 - 十一月 28 (選擇速遞服務) |
| 請求報價 |
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| 支付方式 | |
| 送貨服務 |
| 製造商 | Transphorm |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | - |
| ECAD |
|
| 系列 | SuperGaN® |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 34A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4.8V @ 700µA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 119W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包 | TO-247-3 |
| 包/箱 | TO-247-3 |
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